Ogino Atsushi | Department of Applied Physics and Chemistry, and Institute for Laser Science, University of Electro–Communications, Chofu, Tokyo 182, Japan

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概要

• 同名の論文著者
• Department of Applied Physics and Chemistry, and Institute for Laser Science, University of Electro–Communications, Chofu, Tokyo 182, Japanの論文著者

論文 | ランダム

• 反応性スパッタ法によるSi(100)基板上へのYSZ薄膜のエピタキシャル成長
• 21pTE-4 フロン 11・12・13 および CF_4 の低エネルギー電子分光
• ECRプラズマCVD法によるSi低温エピタキシャル成長
• 31pXE-4 非発光ラジカル検出による低エネルギー電子衝撃中性解離過程の研究
• 31aXE-11 100eV/q 以下での X^ (X=C, N)-He 電荷移行反応過程における状態選別角分布測定

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