井口 哲夫 | 名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻
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概要
名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻 | 論文
- ALD成膜HfO_2ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MOSFETの作製・評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- カーボンナノチューブトランジスタにおける電極界面の特性
- AlNセラミック基板上への微小AlGaAs/GaAs HEMTブロックのアセンブル(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 27aUA-1 カーボンナノチューブの蛍光の環境効果 : カイラリティ依存性(27aUA ナノチューブ光物性I,領域7(分子性固体・有機導体))
- CS-6-5 カーボンナノチューブFETの伝導型制御と電極界面特性(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)