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奥田 正俊 | イビデン株式会社
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イビデン株式会社 | 論文
マグネトロンスパッタ法によって作製したSi系水素化非晶質半導体薄膜の特性
放電加工電極用グラファイト材料について
放電加工用グラファイト電極材料の特性
MOVPE法による厚膜AlN成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
MOVPE法による厚膜AlN成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
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