近藤 元基 | 日電半導体

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概要

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日電半導体 | 論文

• Si-SiO_2の気相成長 : 半導体(結晶成長, Device (酸化膜))
• Si-SiO_2境界面の性質III : 半導体(結晶成長, Device (酸化膜))
• Si-SiO_2境界面の性質II : 半導体(結晶成長, Device (酸化膜))
• Geにおける少数キャリヤー寿命の一軸性圧力効果 : 半導体(午前:化合物,午後:p-n接合)
• GePN接合の歪効果(角度強存性) : 半導体(午前:化合物,午後:p-n接合)

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