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日電半導体 | 論文
- Si-SiO_2の気相成長 : 半導体(結晶成長, Device (酸化膜))
- Staticな直交電場磁場中のESR(CdS,CdSe) : イオン結晶・光物性
- Si-SiO_2境界面の性質III : 半導体(結晶成長, Device (酸化膜))
- Si-SiO_2境界面の性質II : 半導体(結晶成長, Device (酸化膜))
- Geにおける少数キャリヤー寿命の一軸性圧力効果 : 半導体(午前:化合物,午後:p-n接合)
- GePN接合の歪効果(角度強存性) : 半導体(午前:化合物,午後:p-n接合)
- 6a-F-7 p-n接合の歪効果
- 7a-L-1 Ge-Si Heterojunction (I)
- 14a-A-4 GeのGrain Boundary
- Ni doped Siの電気的性質(III) : 半導体
- 4p-L-3 Ni doped Siの電気的性質 (II)
- Cu doped Ge p-n junctionのuniaxial stress effect : 半導体(午前:化合物,午後:p-n接合)
- 9a-M-10 Ni doped Siの電気的性質
- 13p-N-9 Crossed Electric and Magnetic Field i Spin-Orbit effects(S_7band)
- SnO_2の吸収端 : 光物性・イオン結晶
- 直交電場磁場におけるランダウ準位 : イオン結晶光物性 : 光学的性質I
- Si-SiO_2境界の性貭 : 半導体 : 結晶成長