木村 紳一郎 | 日立製作所中央研究所ULSI研究センタ

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概要

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• 日立製作所中央研究所ULSI研究センタの論文著者

日立製作所中央研究所ULSI研究センタ | 論文

• Si-MOSFETにおける単一電子チャージング効果
• 積み上げ拡散層型0.1μm-MOSFET
• ナノメターリングラーフィにおけるレジストパターンゆらぎのシミュレーションによる解析
• 微細MOSFETの高電界効果と素子構造 : 信頼性物理の研究
• シリコン半導体デバイス技術

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