臼杵 深 | 東京大学 工学系研究科 精密機械工学専攻
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概要
論文 | ランダム
- A Pseudomorphic In_Ga_As/AlAs Resonant Tunneling Barrier with a Peak-to-Valley Current Ratio of 14 at Room Temperature
- Back-Gated Field Effect in a Double Two-Dimensional Electron Gas Structure
- Si Atomic-Planar-Doping in GaAs Made by Molecular Beam Epitaxy
- A New Heterostructure for 2DEG System with a Si Atomic-Planar-Doped AlAs-GaAs-AlAs Quantum Well Structure Grown by MBE
- INUID相似模型による波形解析の研究