川上 明 | 三菱電機株式会社北伊丹製作所

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概要

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• 三菱電機株式会社北伊丹製作所の論文著者

三菱電機株式会社北伊丹製作所 | 論文

• ビット線負荷交互配置構成を用いた5ns32K×8/×9bi-CMOS TTL SRAM
• 融合系Bi-nMOSゲートを用いた同期式256K Bi-CMOS ECL RAM
• 第2世代16K高速SRAM
• 2ビーム半導体レーザ光出力の演算分離検出方式
• DRAMの電源投入時における基盤電位制御回路

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