高木 俊宜 | イオン工学研究所
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概要
イオン工学研究所 | 論文
- 26aB09 立方晶GaNのrf-MBE成長における窒素フラックス一様性(窒化物(2),第34回結晶成長国内会議)
- プラズマ励起MBE法によるSi基板への立方晶GaN, AlN, InNヘテロエピタキシャル初期成長過程(AlN結晶成長シンポジウム)
- TiAlの酸化特性に及ぼす窒素イオン注入の影響
- 金属パルスイオン注入によるTiAlの高温耐酸化性向上
- 金属パルスプラズマイオン注入によるTiAl基材料の高温耐酸化性の向上について