志賀 悠平 | サザンハートカンファレンス研究グループ

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概要

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論文 | ランダム

• 完全空乏型SOI MOSFETにおけるSOI膜厚変動によるしきい値ばらつきの抑制構造
• 招待論文 : 「ひずみSOI MOSFETの素子構造と電気的特性」
• ひずみSOI MOSFETの素子構造と電気的特性
• ひずみの導入により高移動度化した新構造SOI-MOSFET
• シリコン表面のセルフ・アンジュレーションを利用したサブミクロン単一電子素子

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