三戸 左内 | シャープ(株)中央研究所

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概要

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シャープ(株)中央研究所 | 論文

• Si基板上のエピタキシャルGaAs層の転位密度低減 : 熱サイクル成長法
• MBEによるZnSのホモエピタキシャル成長 : エピタキシーII
• RF-MBE法によるSiC基板上GaN成長における水素添加効果
• 28p-G-19 CVD成長立方晶SiC中の残留キャリヤのESRによる検討(1)
• RF-MBE法によるSiC基板上へのGaN系半導体のエピタキシャル成長

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