伊田 進太郎 | 九州大学大学院工学府材料物性工学専攻

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概要

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• 同名の論文著者
• 九州大学大学院工学府材料物性工学専攻の論文著者

九州大学大学院工学府材料物性工学専攻 | 論文

• SOI基板を用いた新規AWGデバイスの作製
• Si基板上へのSiC超薄膜形成とSiCをバリアー層とする共鳴トンネルデバイスの試作
• 超音速フリージェットによるSi/Sic共鳴Si/Sic共鳴トンネルダイオードの形成
• アルミニウム単結晶の再結晶組織のOIMによる解析
• ナノロッド形成におけるペロブスカイト構造の重要性

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