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伊野 洋一 | 日電アネルバ
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日電アネルバ | 論文
30a-L-3 GTC-CVD法によるエピタキシャルAl/Si(111)界面の断面TEM観察
マグネトロン・スパッタ・ターゲットの***ージョン・レート分布の数値シミュレーション
5a-C-12 V_3Siの超音波吸収
12a-D-10 単結晶V_3Si.Nb_3Snのストレスーストレイン曲線
30a-Q-9 一軸性圧力下でのV_3Siの構造相転移と超伝導
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