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日本結晶成長学会 | 論文
- 22pC11 過冷却水から成長する円盤氷結晶の理論解析(成長界面IV)
- 22pC3 吸着系に対する歪みエネルギーの効果(成長界面III)
- Past and Future Role of Crystal Growth Technology CGT including Epitaxy Technology
- 広報活動を終えて(ICVGE-7(第7回気相成長・エピタキシー国際会議))
- 23aB2 Structural transition at the initial stage of GaAs(00l) surface growth
- Siエピタキシャル成長の第一原理計算 : 結晶成長の理論(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
- CdTe単結晶の昇華成長とその電気的性質
- 昇華法によるCdSの気相輸送 : 気相成長
- CdS_xSe_の気相輸送と組成制御 : 気相成長
- S-Se融体リザーバーを用いたCdS_Se_xの気相成長 : 気相成長
- CdSxSe_の気相輸送と化学量論組成からの偏差の調節 : II-VI化合物半導体
- II-VI化合物結晶のモルフォロジー(結晶のモルフォロジー)
- 平衡石の成長
- 岡田さんを偲んで(岡田正和先生を悼んで)
- 氷結晶の形態変化と成長条件(加圧,3重点,同位体混合) (原子レベルでの結晶成長機構) -- (核形成と成長のカイネティクス)
- 結晶成長の思い出(日本給晶成長学会創立20周年記念特集)
- 排気した水から成長した氷角板結晶
- 実験方法の探索
- 凝固熱又は空気を除去した時の平面をもつ氷結晶の融液成長 : 成長成長I
- 第6回 生体高分子結晶成長国際会議 (ICCBM-6) 報告