シリコン添加による酸化ガリウム膜の電気光学特性への影響とX線光電子分光スペクトル評価
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- Radiation damages of SiGe devices
- Si,InGaAs系デバイスの放射線損傷と導入格子欠陥に関する研究(3) (放射線とイオンビームによる物質構造の研究と改質・合成)
- 国立高専に設置された太陽光発電システムの発電特性
- 北面設置された太陽電池モジュールによる発電特性の検討
- InGaAs系デバイスの放射線損傷とその低減に関する研究 (一般共同研究・一般協力研究) -- (放射線とイオンビームによる物質構造の研究と改質・合成)
- STI(Shallow Trench Isolation)ダイオードの照射損傷
- リーク電流補償回路を付加したCMOSICの電子線照射損傷
- オージェ電子分光装置を用いたSiGe薄膜の評価
- HEMTの放射線損傷に関する一考察
- マグネトロンスパッタリング法によるAl2O3/Siの成長
- マグネトロンスパッタ法を用いたSiGeフォトダイオ-ドの製作
- D/Aコンバ-タの速中性子線照射損傷に関する一考察
- 電子線照射電界効果MOSトランジスタの熱処理効果
- 演算増幅器の電子線照射損傷に関する一考察
- センサーを用いた小学生のものづくり教育
- 1p-PSB-7 CeNiSn の電子線照射効果 II
- 6a-PS-53 CeNiSnの電子線照射効果
- Si,InGaAs系デバイスの放射線損傷と導入格子欠陥に関する研究(2) (放射線とイオンビームによる物質構造の研究と改質・合成)
- BiCMOSプロセスで製造したn-MOSFETの陽子線照射損傷
- lnGaAsフォトダイオードの220MeV炭素イオン照射損傷
- シリコン添加による酸化ガリウム膜の電気光学特性への影響とX線光電子分光スペクトル評価
- Si1-xGex S/D p-MOSFETへの電子線照射による電気的特性への影響の評価