特集 優秀環境装置(1)
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概要
論文 | ランダム
- 23pL-11 In_Ga_As/In_Al_Asヘテロ接合2次元電子ガスの有効g値
- 23pL-10 In(0.75)Ga(0.25)As/In(0.75)Al(0.25)As順方向2次元電子ガスにおけるスピン軌道結合定数のゲート電圧依存性
- 27pD-3 高In組成InGaAs/InAlAs 2次元電子ガス系のスピン分裂の異方性
- 27pD-2 共鳴トンネル構造によるIn_xGa_As(x≥0.5)におけるスピン分離の観測
- 30p-ZE-14 高In組成InGaAs/InAlAs2次元電子系のスピン分裂