NTTドコモのエリアメール (特集 『安全・安心』の計測技術)

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概要

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論文 | ランダム

• ノｰマリオフ型5kV級4H-SiC JFET"SEJFET"の電気的特性
• 19kV超高耐圧SiCダイオードの試作
• 高耐圧5.5kV SiC接合型電界効果トランジスタの試作
• 電力用SiC半導体研究会の活動報告
• 高品質SiCウェーハの開発(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

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