Non-volatile random access memory and NAND flash memory integrated solid-state drives with adaptive codeword error correcting code for 3.6 times acceptable raw bit error rate enhancement and 97% power reduction (Special issue: Solid state devices and mate
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概要
論文 | ランダム
- 半直交連想記憶におけるニューロンの活動電位の分布に関する検討
- 女子に対する就職差別のモデル
- 指数型半直交連想記憶モデルに関する検討
- Hopfieldモデルの安定点における活動電位の分布
- 絶対活動電位の二次モーメントを用いたHopfieldモデルにおける偽安定点の検出