微結晶シリコンにおける欠陥状態
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 29a-S-3 a-Si:Hにおける水素を近傍にもつダングリングボンドの構造
- 29a-S-1 a-Si:Hにおけるダングリングボンドの光誘起アニールIII
- 31p-F-1 aーSi:Hにおけるダングリングボンドの光誘起アニール
- 29p-X-4 a-Si:Hにおける光誘起、熱誘起欠陥に対するアニール効果
- 30a-W-9 a-Si:H、a-Si:DのESRスペクトルの解析とアニール効果
- 29p-B-5 a-Si:HのESRスペクトルの解析と光照射効果
- a-Si:Hにおけるダングリングボンドの光誘起アニールII
- 3a-J-6 a-Si:H, a-Si:DにおけるダングリングESRスペクトルの解析
- 30p-X-6 SnO_2:Cr^のEPRスペクトル(EPR)_IIのsuperposition model
- Microwave Power Dependence of Deconvolution of Dangling Bond ESR Spectra in a-Si:H
- 微結晶シリコンにおける欠陥状態
- 水素化アモルファスシリコンにおける光誘起欠陥生成
- 28pTC-1 a-SI:Hにおける強光励起下での光誘起欠陥生成
- 25pL-4 a-Si:Hにおける光誘起欠陥生成の光励起強度依存性
- 29p-ZF-3 a-Si:Hにおける光誘起欠陥生成のrate equation
- 29p-ZF-2 a-Si:Hにおける光誘起欠陥生成モデル
- Hydrogen-Related Dangling Bonds in Hydrogenated Amorphous Silicon
- 実験室 最小2乗法による電子スピン共鳴スペクトルの解析
- 29p-F-8 ルチル型結晶におけるsuperposition model(29p F 磁気共鳴)