BaTiO3における格子歪みによる強誘電性増強機構の第一原理計算 (ファンクショナルデバイス特集) -- (圧電デバイス)

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概要

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• NECトーキンの論文

著者

• 佐々木 淳

  Necトーキン(株)

• 池田 義秋

  NECトーキン(株)

• 橋本 孝俊

  東北大金研:necトーキン(株)

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