SiCデバイス用活性化アニール装置EBASの開発と窒素注入4H-SiCサンプルのアニール特性の評価

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概要

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アネルバ | 論文

• スピントロニクス用デバイス薄膜作成装置の開発
• PtMnスピンバルブの規則化アニール温度
• High-k、Metal Gate用成膜装置「C-7100GT」の開発--スパッタ成膜法を用いたゲートプロセスへの取り組み
• Gap-filling property of Cu film by chemical vapor deposition
• Deposition Rate and Gap Filling Characteristics in Cu Chemical Vapor Deposition with Trimethylvinysilyl Hexafluoro-acetylacetonate Copper(1)

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