崩壊の流動化機構ならびに到達距離予測に関する研究

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概要

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論文 | ランダム

• 5a-NL-4 Si-MOS(100)反転層2次元電子移動度の温度依存
• 5a-NL-2 Si-MOS二次元伝導の強電界効果と負磁気抵抗
• 30a-J-2 H^+, H^+_2, H^+_3の固体表面との衝突による発光
• 30p-K-7 mk領域におけるSi-MOS反転層の電気伝導
• 30p-K-6 セシウム吸着Si表面反転層のアンダーソン局在

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