Subsurface Damage Profile Characterization of Si Wafers with UV/Millimeter-Wave Technique and Light Scattering Topography (学外発表論文) -- (第3プロジェクト〔複合インテリジェント集積素子の研究開発〕関係)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- Siウェーハの少数キャリヤ拡散係数
- Catalytic-CVDによるSi上アルミナ生成におけるTMA/O_2分解の質量分析
- 接触電位差によるSiウェーハ表面層評価
- Cat-CVDアルミナMISゲートの作製と特性
- Siウェーハ表面層のマイクロ波光導電周波数応答による評価
- UV/ミリ波PCD法における最大感度条件とSiエピタキシャルウェーハおよび極表面層評価
- 電子ビームによるシリコン表面層のトモグラフィの検討
- Si表面層H_+イオン注入ダメージのパルス光電導振幅(PPCA)による評価
- 熱起電力型フローセンサー
- UV/ミリ波PCD法における最大感度条件とSiエピタキシャルウェーハおよび極表面層評価 (学外発表論文) -- (第3プロジェクト〔複合インテリジェント集積素子の研究開発〕関係)
- Siilcon Wafer Subsurface Characterization with UV/Millimeter-Wave Technique (学外発表論文) -- (第3プロジェクト〔複合インテリジェント集積素子の研究開発〕関係)
- 電子ビームを用いたSiウェーハ表面層評価法の検討
- 水素イオン注入Siウェーハ表面層のPCAによる評価
- 鏡面研磨Siウェーハ表面層のパルス光導電振幅による評価
- 青色レーザ/マイクロ波光導電を用いたシリコンウェーハ表面層の評価
- UV/ミリ波光導電法によるシリコンウェーハ研磨時表面／表面層の評価
- 研磨時シリコンウェーバのバルクキャリヤライフタイムと表面再結合速度の非接触測定
- Wattパワー半導体レーザー用高速パルスドライバ
- Transient Temperature Responses in Pulsed Microwave Diodes
- Some Considerations of Available power and Efficiency in TRAPATT Oscillators
- Subsurface Damage Profile Characterization of Si Wafers with UV/Millimeter-Wave Technique and Light Scattering Topography (学外発表論文) -- (第3プロジェクト〔複合インテリジェント集積素子の研究開発〕関係)
- Subsurface Damage Characterization of Hydrogen Ion Implanted Silicon Wafer with UV/Millimeter-Wave Technique (学外発表論文) -- (第3プロジェクト〔複合インテリジェント集積素子の研究開発〕関係)
- 集積化プロセス技術の研究 (第3プロジェクト「複合インテリジェント集積素子の研究開発」) -- (平成12年度研究成果)
- 集積化プロセス技術の研究 (第3プロジェクト 複合インテリジェント集積素子の研究開発) -- (平成11年度研究成果)