陽電子消滅によるSOI(Si-on-insulator)基板の評価 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成13年度)
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概要
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- 京都大学原子炉実験所の論文
- 2001-10-11
京都大学原子炉実験所 | 論文
- 低速陽電子によるP注入SiCの欠陥検出と焼鈍特性の研究 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成12年度)
- J-PARC MLF BL05での中性子干渉計とスピンエコーの開発 (京都大学原子炉実験所第44回学術講演会報文集)
- 中性子ミラーの平面度矯正と冷中性子干渉計への応用 (京都大学原子炉実験所第43回学術講演会報文集)
- 冷中性子干渉光学のための多層膜ミラーの平面度向上手法の開発 (京都大学原子炉実験所第42回学術講演会報文集)
- 透過型多層膜偏極デバイスの開発 (京都大学原子炉実験所第42回学術講演会報文集)