トンネル磁気抵抗とその応用上の材料課題
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概要
アネルバ | 論文
- スピントロニクス用デバイス薄膜作成装置の開発
- PtMnスピンバルブの規則化アニール温度
- High-k、Metal Gate用成膜装置「C-7100GT」の開発--スパッタ成膜法を用いたゲートプロセスへの取り組み
- Gap-filling property of Cu film by chemical vapor deposition
- Deposition Rate and Gap Filling Characteristics in Cu Chemical Vapor Deposition with Trimethylvinysilyl Hexafluoro-acetylacetonate Copper(1)