弾性散乱背面電子によるAESエネルギー校正法:10〜1200eV/15meV(改良したCMAを用いて)

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概要

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• 表面分析研究会の論文

表面分析研究会 | 論文

• バイオ関連評価におけるTOF-SIMSの可能性
• 最適化された低エネルギー一次イオン照射下におけるTOF-SIMSサンプリング深さの極浅化
• X線定在波法によるSrTiO3結晶のサイト選択的XPS測定
• 集束イオンビームを用いて作製した薄片試料による深い界面のオージェ電子分光法スパッタ深さ方向分析
• ポーラスな試料のAES分析用断面作製技術

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