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臨時大深度地下利用調査会答申(資料紹介) (特集 大深度地下利用)
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論文 | ランダム
CVD法によるエピタキシャル成長PZT薄膜の析出条件
(100)Pt/(100)MgO基板上へのPzT薄膜の合成とその性質
高速でエピタキシャル成長させたCVD Pb(Zr, Ti)O_3薄膜の特徴
CVD法で合成した窒化鉄-窒化チタン薄膜の微構造
研究技術動向の一断面
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