直流放電における同位体分離-2-
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- スパッタリング法によるITO透明膜の生成
- RFスパッタリング法によるSnO2透明膜の生成
- RFスパッタリング法によるITO薄膜の熱処理効果
- SiCヘテロ接合デバイスの製作
- (1)電子工学実験における半導体集積回路技術の実践的教育 : 多人数学生を対象とした集積回路の製作実習の試み(第1セッション 教育システム(実習))
- プラズマ中に帯電し浮上するダイヤモンド微粒子の挙動と成長
- ガラスマイクロピペットの超音波斜角研磨法〔英文〕
- 石英ガラスを絶縁被覆材料とした多重微小電極の製造方法
- 球状端面をもつ光コネクタの開発
- プロトン照射による透明導電膜の放射線損傷
- アセチレン(C2H2)-酸素(O2)の燃焼炎によるダイヤモンドの合成
- 気相法によるβ-SiC膜の成長
- MBE装置用基板加熱器の開発
- レ-ザ照射によるβ-SiC膜の形成
- 玉川温泉の微量放射線分析
- ArとHeガスカーテン燃焼炎を用いたダイヤモンドの合成
- RFスパッタリング法によるZnO透明導電膜の熱処理効果
- カーボランダム研磨処理基板(a-SiC/Si)を用いたダイヤモンドの成長
- 不活性ガスカーテン燃焼炎法を用いたa-SiC/Si基板上への平板ダイヤモンド結晶の形成
- 四角い断面を持ったMoO2ナノチューブの新成長法
- P型Si基板上へのSiC薄膜の形成
- 近接法によるSi基板表面の炭化膜とSiC膜の形成
- 超高真空中の熱処理によるスパッタSiC薄膜の結晶化
- レ-ザ光照射によるSiC薄膜成長用超高真空装置の開発
- スパッタリング法により作製したSiC薄膜の熱処理効果
- スパッタリング法によるSnO2透明導電膜の諸特性とその表面形態
- 燃焼炎法を用いたダイヤモンド微結晶のラマン分光法による評価
- ダイヤモンドペースト研磨処理基板(a-SiC/Si)を用いたダイヤモンドの成長
- 燃焼炎法による種々の基板へのダイヤモンド微結晶薄膜の成長
- 燃焼炎を用いたダイヤモンド微結晶薄膜成長における不活性ガスカ-テンの効果
- アセチレン-酸素ガスの燃焼炎によるダイヤモンド成長と炎電流の関係
- 燃焼炎を用いたダイヤモンド成長における酸素-アセチレン流量比の影響
- 竹フィラメントを用いたエジソン電球の復元と電気的特性
- 球状端面をもつ光ファイバコネクタの製作技術
- ア-ク放電による微粒子の生成
- 直流放電における同位体分離-2-
- 円筒型電極を用いた高出力CO2レ-ザ
- 直流放電における軸方向圧力傾度の測定