SSD法によるIn2Se3結晶生成とその半導体特性
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- SSD法によるIn2Se3結晶生成とその半導体特性
- 3a-M-8 ヨウ素ドープしたフタロシアニン高配向蒸着膜の応力変調分光
- 2元蒸着法によるInSeとIn2Se3薄膜作成とその電気的性質
- 蒸着によるIn2Te3薄膜の作製とその電気的性質
- 蒸着によるInSe薄膜の作成とその電気的性質
- 無機化合物-有機化合物複合系半導体における接合と光導電性
- 強誘電性高分子液晶の配向とその電気的性質
- SUS304ステンレス鋼表面の干渉着色皮膜の電子顕微鏡観察
- SUS304ステンレス鋼のNaOH溶液における陽分極と干渉着色被膜
- 微粉末単体からのCuInX2(X=S,Se)膜の生成
- MV/GaAs接合における不純物準位
- 規則的に電流の遮断・導入をおこなう無機化合物 (1988年の化学-8-)
- 東芝総合研究所訪問
- SSD法によるInPの結晶成長とその特性分布
- In2Se3粉末の電気的性質とPVDF添加の効果
- In2Se3の結晶成長と光導電性
- GaAsの深い不純物準位・酸素の効果
- In2Se3粉末の光導電性に及ぼす酸素の影響
- 希土類金属合金(RCo5)蒸着膜に関する研究
- 硫化カドミウム蒸着膜の水蒸気ならびに酸素吸着