ディジタル携帯電話用GaAsFETモジュ-ル (移動体通信用半導体デバイス<特集>)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- AlGaAs/InGaAs PHEMTの劣化メカニズム(化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文)
- HEMTを用いたPDC用高出力増幅器モジュール
- AlGaAs/InGaAs PHEMTの大信号動作時の劣化機構 : 高電界による半導体表面劣化(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- AlGaAs/InGaAs PHEMTの大信号動作時の劣化機構 : 高電界による半導体表面劣化(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- ディジタル携帯電話用GaAsFETモジュ-ル (移動体通信用半導体デバイス)