分子線蒸着法による強磁性半導体HgCr2Se4薄膜の作製およびその光吸収特性
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 31p-PSB-33 S終端GaAs(001)面の光電子回折による観測II
- 7a-PS-55 S終端GaAs(001)面の光電子回折による観測IV
- S終端GaAs(001)面の光電子回折による観測III
- 30a-PS-26 S終端GaAs(001)面の光電子回折による観測
- 28a-F-13 無重力環境における浮遊帯域結晶成長法
- 分子線蒸着法による強磁性半導体HgCr2Se4薄膜の作製およびその光吸収特性
- CdCr2Se4単結晶基板上へのHgxCd1-xCr2Se4固溶体膜の等温エピタキシャル成長
- 異質接合HgCr2Se4-CdIn2S4の作製と光起電力特性
- 液滴エピタキシィ法によるGaAsエピタキシャル微結晶の成長