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論文 | ランダム
29p-H-10 1.5nmゲート酸化膜MOSFETの高周波特性
メタライズ技術
28a-PB-20 13V耐圧を持つ0.35μmSiパワーMOSFET
27a-E-11 S^4D (Silicided Silicon-Sidewall Source and Drain)構造を用いたPMOS検討
27a-E-6 エピチャネルMOSFETのエピSi/Si基板界面の酸素の影響
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