Kinematicalなモデルを用いたLEEDによるCdTe(110),ZnTe(110)面の表面構造の解析
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 酸化亜鉛粉体からの気体の熱脱離 : 表面物理・薄膜
- 2a-C-7 ZnTeの光電特性III
- ZnTeの電気的光学的諸特性
- Cs-Sb光電面内の欠陷とCs圧との熱平衡
- 3-6 Sb-K-Cs光電陰極の試作
- 三硫化アンチモン系赤外ビディコン
- Na_2KSb, K_3Sb, Na_3Sbの光学特性 : イオン結晶・光物性
- マルチアルカリ光電陰極の光電子放出 : イオン結晶・光物性
- マルチアルカリ、アンチモン光電陰極 : イオン結晶・光物性
- ZnTe(110)清浄面およびその酸化面からの真空紫外光電子放出スペクトル
- ZnTeのE0およびE1ギャップ領域における波長変調反射スペクトル
- CuAlSe2の結晶成長と基礎的な物性の測定
- エレクトロケミカル・クヌ-センセルによるZnS薄膜の分子線エピタキシ-成長
- 30p-E-4 II-VI化合物の光電子放出II. : Zn3dとCd4d準位について
- 24p-M-7 ZnSe(110)とCdTe(110)の光電子放出
- Kinematicalなモデルを用いたLEEDによるCdTe(110),ZnTe(110)面の表面構造の解析
- CdTe(110)面の光照射による酸化の促進
- 2-6化合物半導体の角度分解光電子放出分光-2-Zn3dおよびCd4d準位について
- ビジコンカメラを用いたLEED高速測定法
- 角度分解型光電子放出スペクトル測定装置の試作
- ZnSe{100}面の低速電子回折,オ-ジェ電子分光,エネルギ-損失分光による表面状態の解析
- ZnTe,ZnSeおよびZnSの吸収端から9eVまでの領域における温度変調反射スペクトル
- 気相制御によるZnSeの結晶成長とその格子定数および反射特性
- 2-6化合物半導体表面の解析
- 7p-G-9 ZnSeのドナーによるESR
- 3a-P-12 ZnTeの不純物による光吸収
- 酸化錫単結晶の光導電特性 : イオン結晶・光物性
- ZnTe単結晶の赤外線吸収 : 光物性
- 酸化錫中のニッケルのESR : 磁気共鳴
- 2a-C-12 ZnSe,ZnTeの光電子放出
- SnO_2結晶中のFe^のESR : 磁気共鳴
- 酸化錫単結晶の成長 : 結晶成長
- SnO_2単結晶の光導電特性 : 半導体(光学特性)
- 2)光導電現象 (第3回 固体画像変換装置研究委員会)
- 溶融法によるZnS単結晶の結晶構造と構造欠陥 : 結晶成長
- 2-6化合物半導体について
- 2-6化合物半導体の角度分解光電子放出分光-2-Zn3dおよびCd4d準位について