電子注入促進型トランジスタ(IEGT) (特集 次世代パワ-デバイス)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 薄膜(0.1μm)SOI構造フォトリレー用超低 Cout × Ron MOSFET
- IEGTとその実用化 (特集 高耐圧パワ-デバイス・モジュ-ルの新展開)
- 高電圧大容量パワ-デバイス:IEGT (′98スイッチング電源ハンドブック--省エネとソフトスイッチング&進むIC化)
- 電子注入促進型トランジスタ(IEGT) (特集 次世代パワ-デバイス)
- 高耐圧GTO (パワ-エレクトロニクス)