ソ-シャルワ-クへのGrounded Theoryの適用について
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概要
論文 | ランダム
- A Self-Alignment Row-by-Row Variable-V_ Scheme Reducing 90% of Active-Leakage Power in SRAM's(Memory,Low-Power, High-Speed LSIs and Related Technologies)
- Row-by-Row Dynamic Source-Line Voltage Control (RRDSV) Scheme for Two Orders of Magnitude Leakage Current Reduction of Sub-1-V-V_SRAM's(Electronic Circuits)
- サブ1VのSRAMにおけるリークを2桁以上削減する新手法RRDSV(システムLSIの応用とその要素技術,専用プロセッサ,プロセッサ,DSP,画像処理技術,及び一般)
- サブ1VのSRAMにおけるリークを2桁以上削減する新手法RRDSV(システムLSIの応用とその要素技術,専用プロセッサ,プロセッサ,DSP,画像処理技術,及び一般)
- サブ1VのSRAMにおけるリークを2桁以上削減する新手法RRDSV(システムLSIの応用とその要素技術,専用プロセッサ,プロセッサ,DSP,画像処理技術,及び一般)
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