マイクロ波イオンプレ-ティング法による薄膜形成 (薄膜技術--ウェットかドライか<特集>)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 3p-G-4 擬似ポテンシャル法によるImpurity のVacancy diffusionに及ぼす影響
- 11a-U-8 Pseudopotential法によるvacancyの電気抵抗の計算
- 3a-M-7 金属中の二原子空孔の移動エネルギー
- 12p-Q-13 金属中の点欠陥複合体の計算
- 6p-KM-7 LeClaireモデルによる不純物拡散
- 24p-L-4 金属中の不純物拡散
- 22a-L-11 金属中の点欠陥の相互作用
- 反応性イオンプレ-ティングによる窒化インジウム薄膜の作製とその物性 (イオンプレ-ティング)
- マイクロ波イオンプレ-ティング法による薄膜形成 (薄膜技術--ウェットかドライか)
- 6p-KM-6 多価金属中の不純物集合体の安定性
- 22a-L-10 点欠陥の相互作用ポテンシャル
- 3p-G-2 Al中の不純物と原子空孔との相互作用
- 11a-U-7 Impurity Vacancy diffusionに及ぼす影響.疑似ポテンシャルによる取り扱い I
- 3p-N-7 Al中のinterstitialの電気抵抗の計算
- 7a-Q-9 単純金属中の種々の点欠陥相互作用の一般的取扱い
- 7a-M-2 金属中の陽電子と点欠陥との相互作用
- 11a-N-6 金属中の原子空孔 : 格子間原子相互作用
- 11a-N-5 金属中の原子空孔と侵入型不純物原子との結合エネルギー
- 11a-N-4 陽電子の原子空孔および二原子空孔の移動に及ぼす影響