ホットキャリアによるSi MOSデバイス特性の劣化機構

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概要

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応用物理学会 | 論文

• 大気中ラドン濃度の連続観測に基づく地球規模汚染物質の環境動態の考察
• 走査トンネル顕微鏡における探針と Si 表面との相互作用およびその原子操作への応用
• 研究紹介 陽電子による先端半導体材料の評価
• 原子の光応答操作の新しい展開 : 量子非線形光学
• 発展する高出力セラミックレーザー

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