2F04 CSD 法 PLT 薄膜の配向性に及ぼす電界アニールの効果
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 日本セラミックス協会の論文
- 2002-09-22
著者
関連論文
- 24aTE-4 Pb(Zn_Nb_)O_3-PbTiO_3混晶のラマン散乱II(誘電体(リラクサー),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 2E04 CSD 法 PZT 薄膜の圧電応答 : (2) 組成依存性
- 2E03 CSD 法 PZT 薄膜の圧電応答 : (1) 緩和現象
- 2H04 ゾルゲル法による蛍光体粒子へのチタン酸鉛薄膜の低温被服
- 27aYR-6 PZN-PT混晶のラマン散乱(誘電体,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 3C13 高温石炭燃焼ガス集塵用アルミナ長繊維強化ムライトフィルタの開発
- 2G07 アルミナ長繊維強化ムライトフィルターの開発
- 3E01 安定前駆体ゾルからの Pb(Zr_Ti_)O_3 薄膜の結晶化と電気特性に及ぼす組成と積層構造の影響
- 2B07 気孔制御成形法により作製したアルミナ多孔体の集塵特性
- 2F04 CSD 法 PLT 薄膜の配向性に及ぼす電界アニールの効果
- 3D08 Pb(Zr_Ti_)O_3 ナノ結晶におけるサイズ効果