3F09 低電圧動作メモリー用新規強誘電体 : 希土類 SrBi_2Ta_2O_9

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概要

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• 日本セラミックス協会の論文
• 2001-09-26

著者

• 神山 崇

  高エネ機構

• 及川 健一

  高エネ機構

• 野口 祐二

  東大生研

• 宮山 勝

  東大生研

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