28p-W-11 レーザアブレーション法によるG結晶の配向成長(II)
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概要
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- 1998-03-28
論文 | ランダム
- 衛星搭載用C帯80W GaAs-FET増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 高電圧動作InGaPチャネルField-Modulating Plate FET
- 10-C-8 50V動作InGaPチャネルField-Modulating Plate MESFET
- C-10-6 L帯低歪み230W GaAs FP-HFFT
- 高バイアス動作GaAs高出力FP-HFET