Comment on "New Current–Voltage Model for Surrounding-Gate Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors"
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- INSTITUTE OF PURE AND APPLIED PHYSICSの論文
- 2006-07-15
著者
-
Marsal L.
Departament D'enginyeria Electronica Electrica I Automatica Escola Tecnica Superior D'engi
-
Flores D.
Centro Nacional de Microelectrónica (CNM-CSIC), Campus UAB, 08193-Bellaterra, Barcelona, Spain
-
Jiménez D.
Departament d'Enginyeria Electrònica, Escola Tècnica Superior d'Enginyeria, Universitat Autònoma de Barcelona, 08193-Bellaterra, Barcelona, Spain
-
Iñíguez B.
Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica, Escola Tècnica Superior d'Enginyeria, Universitat Rovira i Virgili, 43007-Tarragona, Spain
-
Suñé J.
Departament d'Enginyeria Electrònica, Escola Tècnica Superior d'Enginyeria, Universitat Autònoma de Barcelona, 08193-Bellaterra, Barcelona, Spain
-
Pallarès J.
Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica, Escola Tècnica Superior d'Enginyeria, Universitat Rovira i Virgili, 43007-Tarragona, Spain
-
Roig J.
Centro Nacional de Microelectrónica (CNM-CSIC), Campus UAB, 08193-Bellaterra, Barcelona, Spain
-
Roig J.
Centro Nacional de Microelectrónica (CNM-CSIC), Campus UAB, 08193-Bellaterra, Barcelona, Spain
-
Marsal L.
Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica, Escola Tècnica Superior d'Enginyeria, Universitat Rovira i Virgili, 43007-Tarragona, Spain