Growth Process and Surface Acoustic Wave Characteristics of LiNbO3/Diamond/Silicon Multilayered Structures
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概要
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Lithium niobate (LiNbO3) films have been grown at 490°C on diamond-coated silicon substrates by radio-frequency magnetron sputtering. A multi-step process was developed to produce thick layers on diamond with a good structure and a smooth morphology. To assess the structural quality of our films, we performed X-ray diffraction, transmission electron microscopy and atomic force microscopy of the films. The structure is conserved whatever the film thickness. A delay line structure of wavelength of 28 μm was realized and transducers were deposited on top of LiNbO3. The objective was to verify the high velocity in such a multi-layered structure. The first results indicated a SAW velocity estimated of 8200 m/s and a coupling factor was $k^{2}$ around 1%. The film growth, the technology and the electrical measurements are described in this paper.
- Publication Office, Japanese Journal of Applied Physics, Faculty of Science, University of Tokyoの論文
- 2003-02-15
著者
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Remiens Denis
Institut Electronique et Microélectronique du Nord (IEMN)—DOAE—Dépt Matériaux pour Intégration Microélectronique Microsystèmes, Le Mont-Houy Valenciennes 59309, France
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Dogheche Elhadj
Institut Electronique et Microélectronique du Nord (IEMN)—DOAE—Dépt Matériaux pour Intégration Microélectronique Microsystèmes, Le Mont-Houy Valenciennes 59309, France
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Lansiaux Xavier
Institut Electronique et Microélectronique du Nord (IEMN)—DOAE—Dépt Matériaux pour Intégration Microélectronique Microsystèmes, Le Mont-Houy Valenciennes 59309, France
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Sadaune Véronique
Institut Electronique et Microélectronique du Nord (IEMN)—DOAE—Dépt Matériaux pour Intégration Microélectronique Microsystèmes, Le Mont-Houy Valenciennes 59309, France
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Chauvin Stéphanie
Institut Electronique et Microélectronique du Nord (IEMN)—DOAE—Dépt Matériaux pour Intégration Microélectronique Microsystèmes, Le Mont-Houy Valenciennes 59309, France
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Gryba Tadeusz
Institut Electronique et Microélectronique du Nord (IEMN)—DOAE—Dépt Matériaux pour Intégration Microélectronique Microsystèmes, Le Mont-Houy Valenciennes 59309, France
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Dogheche Elhadj
Institut Electronique et Microélectronique du Nord (IEMN)—DOAE—Dépt Matériaux pour Intégration Microélectronique Microsystèmes, Le Mont-Houy Valenciennes 59309, France
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Gryba Tadeusz
Institut Electronique et Microélectronique du Nord (IEMN)—DOAE—Dépt Matériaux pour Intégration Microélectronique Microsystèmes, Le Mont-Houy Valenciennes 59309, France
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Lansiaux Xavier
Institut Electronique et Microélectronique du Nord (IEMN)—DOAE—Dépt Matériaux pour Intégration Microélectronique Microsystèmes, Le Mont-Houy Valenciennes 59309, France