金属／high-k酸化膜界面の熱的混晶化安定性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
最近、次世代Si系MOSFETのゲート金属＋絶縁膜として、純金属とhigh-k材料の組み合わせが注目されている。しかし、金属／酸化物絶縁体界面のミクロな原子構造や熱的安定性はよくわかってない。本研究では、第一原理計算を用いて金属／high-k酸化膜（HfO2、La2O3）界面の安定構造とその構造の原子混晶化に対する安定性を調べ、金属／半導体界面と比較することで、この界面の特徴を明らかにする。
- 公益社団法人 日本表面科学会の論文
公益社団法人 日本表面科学会 | 論文
- An XPS Analysis of the Interfacial Interaction between Oxides and Epoxy Resin.
- A Structure Analysis of Langmuir-Blodgett Magnetic Films by X-ray Diffraction.
- Structure and Reactivity of Surface Compounds Formed on Single Crystal Metal Surfaces During Catalytic Reactions.
- Atomic-Layer Etching of Si by Low Energy Ion Irradiation.
- Microstructure Observations of (Nd, Ce)2CuO4 Superconducting Thin Films by Using Cross-Sectional HRTEM and the Mechanism f Film Growth.