Si(001)表面酸化過程における仕事関数の「その場」観察
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概要
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Si(001)表面酸化過程における仕事関数の時間発展を、光電子分光法で「その場」観察した。ラングミュア型吸着と二次元島成長による第一層酸化膜形成において、仕事関数と酸化膜被覆率の相関が異なることを見いだした。この相違を酸化膜質に基づいて検討する。また、ラングミュア型吸着後の第二層酸化膜形成において仕事関数の変化を観察した。これらの仕事関数の変化から、界面酸化における放出Si原子の役割を検討する。
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公益社団法人 日本表面科学会 | 論文
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