セラミック材料への低線量γ線照射により発生した空間電荷測定
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概要
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セラミック材にγ線を照射した場合，一時的に材料の容量，誘電正接(tanδ)が劣化することが報告されている。その原因はコンプトン効果等によって発生する二次電子の影響と考えられている。筆者らは高精度の空間電荷測定装置を用いて，セラミックに低線量のγ線を照射して周囲の電荷量を測定した。その結果材料表面で電子と正孔の分極と再結合が繰り返し行われている可能性を確認した。
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