カーボンナノチューブ応用二次元ひずみ分布計測センサの試作
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
A new highly sensitive strain measurement method has been developed by applying the change of the electronic conductivity of CNTs, which is caused by the distortion of the electronic band structure. A two-dimensional strain distribution sensor was developed by using thin-film processing. Finely area-arrayed multi-walled carbon nanotubes (MWCNTs) were grown on a silicon wafer by applying a chemical vapor deposition method, and the area-arrayed MWCNTs were interconnected by the lift-off process of titanium thin film. The height of the grown MWCNT was about 250 μm, and size of the bundle of the grown CNT was 40 μm square, and the pitch of the bundle was 1000 μm. Uni-axial pressure was applied to the sensor, and it was found that the gauge factor of the developed sensor was about 100. Thus, this sensor is usefull for detecting the two-dimensional distribution of compressive strain in micro-scale.,
著者
-
大西 正人
東北大学 大学院工学研究科
-
三浦 英生
東北大学 大学院工学研究科 附属エネルギー安全科学国際研究センター
-
鈴木 悠介
東北大学 大学院工学研究科
-
鈴木 研
東北大学 大学院工学研究科 附属エネルギー安全科学国際研究センター
-
大西 正人
東北大学 大学院工学研究科ナノメカニクス専攻
-
大橋 悠輔
東北大学 大学院工学研究科ナノメカニクス専攻
-
鈴木 悠介
東北大学 大学院工学研究科ナノメカニクス専攻
関連論文
- カーボンナノチューブ電気伝導特性に及ぼすひずみの影響
- OS0116 多層カーボンナノチューブ分散樹脂のひずみセンサへの適用可能性の基礎検討(OS01-04 画像処理・ひずみ,OS01 非破壊評価と構造モニタリング(2))
- カーボンナノチューブ応用二次元ひずみ分布計測センサの試作