アリルシリル基を有するモノマ-およびポリマ-の合成とネガ型レジストへの応用 (「インテリジェント有機分子の合成と機能」特集号) -- (フォトレジストおよび光複合材料--合成と応用)

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概要

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• Si-containing resists for a bi-layer system have been reported in the last decade. The molecular designs of the polymers suitable for the system must take four factors into considerations, such as 1) the polymers have high silicon content, 2) the polymers have a high Tg, 3) the polymers have a suitable radiation sensitive functional group, and 4) the polymers have narrow molecular weight distribution. The synthesis of Si-containing polymers with an allyl group and their applications to photoresists are reported.

• 社団法人 有機合成化学協会の論文

著者

• 斉郷 和秀

  グレース日本中央研究所

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