Pb<SUB>1-<I>x</I></SUB>Sn<SUB><I>x</I></SUB>Se薄膜の光学的性質
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Single crystal films of Pb<SUB>1-<I>x</I></SUB>Sn<SUB><I>x</I></SUB>Se (0≤<I>x</I>≤0.1) were prepared on the cleaved KCl substrates by vacuum evaporation. The evaluation procedure of the optical properties, based on the measurement from 2.5 to 25 μm at room temperature, was presented in detail. The content of Sn, <I>x</I>, was determined by the empirical formula of Strauss.<BR>Optical absorption at the band edge was found to obey the Urbach rule and attributed to the allowed direct transitions. The dispersion of the refractive index provided a peak closely related to the optical energy gap and it was shifted to a longer wavelength with x. This relationship with respect to x was also confirmed by the increase in the dielectric constant (ε<SUB>∞</SUB>) and the shift of the resonance wavelength (λ<SUB>0</SUB>) in the single oscillator model.
- 日本真空協会の論文
著者
関連論文
- Pb_Sn_xSe/PbSe二層膜における不純物拡散
- PbSe蒸着膜の雑音特性 : 半導体 (薄膜およびトランジスターダイオード)
- PbSe光導電薄膜の製作条件と特性 : 表面物理, 薄膜
- 三硫化アンチモン系赤外ビディコン
- BaF2(111)基板上のPbSeエピタキシャル成長
- (PbSn)Seエピタキシャル薄膜へのBi添加と特性評価
- Pb1-xSnxSeエピタキシャル膜に対する酸素吸着の電気的影響
- Pb1-xSnxSe薄膜の光学的性質
- 三硫化砒素-三硫化アンチモン系光導電膜の諸特性
- 有機物レーザ材料としてのEuβ-ジケトンキレートの諸特性 : 量子エレクトロニクス
- 高圧溶融法で作成したCdS単結晶の超音波増巾 : 半導体(不安定性)
- S雰囲気中で高圧溶融法により作成したCdS単結晶の諸特性 : 半導体(光学特性)