高周波スパッタエッチングによる微細パターンの形成

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• The fine stripe pattern of Si is formed by RF sputter etching. Both the line width and spacing are varied from 1 to 10μm, and the depth is about 1 μm. The cross sectional view of the samples etched under various sputter conditions is observed by scanning electron microscope. Under some selected conditions, the narrower the spacing, the lower is the etch rate. These phenomena seem to be due to the redeposition of sputtered material, Cr and Si in our cases.

• 日本真空協会の論文

著者

• 佐藤 喜久治

  日立中央研究所

• 川本 佳史

  日立中央研究所

• 西松 茂

  日立中央研究所

関連論文

• InSb薄膜ホール素子を用いたオーディオ用磁気再生ヘッド
• 4a-KL-5 多結晶InSb薄膜における電気伝導(I)
• 高周波スパッタエッチングによる微細パターンの形成
• 9a-K-5 Cu_2NiZn單結晶の中性子回折-II
• Cu_2NiZn単結晶の中性子回折 : 粒子線・X線

スポンサーリンク