高周波スパッタ法による水素化非晶質シリコン (a-Si : H) へのIII族元素添加効果

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概要

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• Doping effects of group III elements to hydrogenated amorphous silicon (a-Si : H) have been investigated using co-sputtering of poly-crystalline Si and dopant elements. Compared with gaseous doping of boron by glow discharge (GD) method, doping efficiency of Al and Ga by RF sputtering is smaller at lower doping concentrations (less than 0.5%), but at higher concentrations dark conductivity changes drastically more than 10 orders of magnitude, and high dark conductivity (10<SUP>-1</SUP> ohm<SUP>-1</SUP> cm<SUP>-1</SUP>) with low activation energy (0.02 eV) can be achieved. Optical band gap decreases with increasing doping concentration.

• 日本真空協会の論文

著者

• 永田 清一

  松下電器産業(株)映像・音響研究センターディスプレイ研究所

• 石原 伸一郎

  松下電器産業ディスプレイ研究所

• 田中 恒雄

  松下電器産業 映像音響情報研

• 森 幸四郎

  松下電器産業材料研究所

• 石原 伸一郎

  松下電器産業材料研究所

• 永田 清一

  松下電器産業材料研究所

• 田中 恒雄

  松下電器産業音響研究所

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